Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > S1FLK-M-08
S1FLK-M-08

S1FLK-M-08 Vishay Semiconductors

s1flx-m.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3M
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.61 грн
19+17.07 грн
100+9.46 грн
500+5.94 грн
1000+5.25 грн
2500+4.56 грн
5000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S1FLK-M-08 Vishay Semiconductors

Description: DIODE GP 800V 700MA DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 700mA, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

Інші пропозиції S1FLK-M-08

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S1FLK-M-08 S1FLK-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1flx-m.pdf Description: DIODE GP 800V 700MA DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLK-M-08 S1FLK-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1flx-m.pdf Description: DIODE GP 800V 700MA DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLK-M-08 s1flx-m.pdf
S1FLK-M-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 800V 700MA DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLK-M-08 s1flx-m.pdf
S1FLK-M-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 800V 700MA DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.