Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > S1FLM-GS18
S1FLM-GS18

S1FLM-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

s1flbdgjkm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+3.85 грн
20000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S1FLM-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Current - Average Rectified (Io): 700mA, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції S1FLM-GS18 за ціною від 3.35 грн до 24.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
S1FLM-GS18 S1FLM-GS18 Vishay Semiconductors s1flbdgjkm.pdf Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
на замовлення 49812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.03 грн
29+11.24 грн
100+6.01 грн
500+5.03 грн
1000+4.12 грн
5000+3.63 грн
10000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLM-GS18 S1FLM-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1flbdgjkm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.35 грн
19+16.04 грн
100+8.09 грн
500+6.19 грн
1000+4.59 грн
2000+3.86 грн
5000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLM-GS18 s1flbdgjkm.pdf
S1FLM-GS18
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
на замовлення 49812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+17.03 грн
29+11.24 грн
100+6.01 грн
500+5.03 грн
1000+4.12 грн
5000+3.63 грн
10000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLM-GS18 s1flbdgjkm.pdf
S1FLM-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.35 грн
19+16.04 грн
100+8.09 грн
500+6.19 грн
1000+4.59 грн
2000+3.86 грн
5000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.