S1FLM-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


s1flbdgjkm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.78 грн
20000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S1FLM-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 700mA, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції S1FLM-GS18 за ціною від 3.51 грн до 25.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S1FLM-GS18 S1FLM-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1flbdgjkm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 46899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.91 грн
19+15.75 грн
100+7.94 грн
500+6.08 грн
1000+4.51 грн
2000+3.79 грн
5000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLM-GS18 S1FLM-GS18 Vishay Semiconductors s1flbdgjkm.pdf Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
на замовлення 49812 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
12+25.68 грн
20+15.47 грн
100+8.41 грн
500+6.29 грн
1000+4.97 грн
5000+4.24 грн
10000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLM-GS18 s1flbdgjkm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 46899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.91 грн
19+15.75 грн
100+7.94 грн
500+6.08 грн
1000+4.51 грн
2000+3.79 грн
5000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLM-GS18 s1flbdgjkm.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
на замовлення 49812 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+25.68 грн
20+15.47 грн
100+8.41 грн
500+6.29 грн
1000+4.97 грн
5000+4.24 грн
10000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.