S1J-K R2G Taiwan Semiconductor
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 22.26 грн |
23+ | 15.02 грн |
100+ | 6.39 грн |
1000+ | 3.74 грн |
2500+ | 3.23 грн |
7500+ | 2.42 грн |
45000+ | 2.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1J-K R2G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції S1J-K R2G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
|
S1J-KR2G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |