S1JHE3_A/H

S1JHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division


s1.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+6.41 грн
3600+5.20 грн
5400+4.97 грн
9000+4.03 грн
45000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S1JHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції S1JHE3_A/H за ціною від 3.02 грн до 30.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S1JHE3_A/H S1JHE3_A/H Vishay General Semiconductor s1.pdf Rectifiers 1A 600V 40A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 9943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+14.11 грн
37+8.90 грн
100+6.19 грн
500+5.77 грн
1000+3.38 грн
1800+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE3_A/H S1JHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 61739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.06 грн
16+20.19 грн
100+10.21 грн
500+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE3_A/H s1.pdf
S1JHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1A 600V 40A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 9943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.11 грн
37+8.90 грн
100+6.19 грн
500+5.77 грн
1000+3.38 грн
1800+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE3_A/H s1.pdf
S1JHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 61739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.06 грн
16+20.19 грн
100+10.21 грн
500+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.