S1JLSH Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Technology: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.35 грн |
| 30000+ | 3.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1JLSH Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: SOD-123HE, Current - Average Rectified (Io): 1.2A, Technology: Standard, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123H, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції S1JLSH за ціною від 3.59 грн до 25.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
S1JLSH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-123HE Current - Average Rectified (Io): 1.2A Technology: Standard Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123H Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 48650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|