
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
15000+ | 1.10 грн |
30000+ | 1.06 грн |
45000+ | 1.03 грн |
60000+ | 0.98 грн |
75000+ | 0.90 грн |
150000+ | 0.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1K-E3/5AT Vishay
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції S1K-E3/5AT за ціною від 0.91 грн до 27.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S1K-E3/5AT | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S1K-E3/5AT | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S1K-E3/5AT | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S1K-E3/5AT | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S1K-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S1K-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S1K-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
на замовлення 12100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S1K-E3/5AT | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
S1K-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 1.8us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Max. load current: 1A Leakage current: 5µA |
на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S1K-E3/5AT |
![]() |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
S1K-E3/5AT | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |