S1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7500+ | 4.97 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
7500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції S1KHE3_A/I за ціною від 3.14 грн до 34.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S1KHE3_A/I | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1A 800V 40A@8.3ms Single Die Auto |
на замовлення 18487 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
S1KHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
S1KHE3_A/I | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1A 800V 40A@8.3ms Single Die Auto |
на замовлення 15322 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| S1KHE3_A/I |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1A 800V 40A@8.3ms Single Die Auto
Rectifiers 1A 800V 40A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 18487 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.34 грн |
| 25+ | 12.19 грн |
| 100+ | 8.70 грн |
| 500+ | 6.44 грн |
| 1000+ | 4.24 грн |
| 5000+ | 3.22 грн |
| 7500+ | 3.14 грн |
| S1KHE3_A/I |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.54 грн |
| 16+ | 19.46 грн |
| 100+ | 9.83 грн |
| 500+ | 7.52 грн |
| 1000+ | 5.58 грн |
| 2000+ | 4.69 грн |
| S1KHE3_A/I |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1A 800V 40A@8.3ms Single Die Auto
Rectifiers 1A 800V 40A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 15322 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.47 грн |
| 20+ | 14.97 грн |
| 100+ | 11.41 грн |
| 500+ | 8.48 грн |
| 5000+ | 5.70 грн |
| 7500+ | 5.19 грн |
| 22500+ | 4.83 грн |