Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > S1KHE3_A/I
S1KHE3_A/I

S1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

s1.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції S1KHE3_A/I за ціною від 4.68 грн до 28.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S1KHE3_A/I S1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.48 грн
16+19.42 грн
100+9.81 грн
500+7.51 грн
1000+5.57 грн
2000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1KHE3_A/I S1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor s1.pdf Rectifiers 1A 800V 40A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 18487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1KHE3_A/I s1.pdf
S1KHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.48 грн
16+19.42 грн
100+9.81 грн
500+7.51 грн
1000+5.57 грн
2000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1KHE3_A/I s1.pdf
S1KHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1A 800V 40A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 18487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.