S1KHE3_A/I

S1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


s1.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції S1KHE3_A/I за ціною від 3.02 грн до 29.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S1KHE3_A/I S1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor s1.pdf Rectifiers 1A 800V 40A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 18487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.64 грн
28+11.73 грн
100+8.37 грн
500+6.19 грн
1000+4.08 грн
5000+3.09 грн
7500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
S1KHE3_A/I S1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.27 грн
16+19.96 грн
100+10.08 грн
500+7.71 грн
1000+5.72 грн
2000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
S1KHE3_A/I s1.pdf
S1KHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1A 800V 40A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 18487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.64 грн
28+11.73 грн
100+8.37 грн
500+6.19 грн
1000+4.08 грн
5000+3.09 грн
7500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
S1KHE3_A/I s1.pdf
S1KHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.27 грн
16+19.96 грн
100+10.08 грн
500+7.71 грн
1000+5.72 грн
2000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.