на замовлення 1059152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 1.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1M-E3/61T Vishay
Description: VISHAY - S1M-E3/61T - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 1.8µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: S1M-E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції S1M-E3/61T за ціною від 1.37 грн до 29.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 846000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 210600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 34200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 34200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 1.8us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 12pF Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 27485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 5912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 426600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 426600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 1.8us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 12pF Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27485 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 311400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - S1M-E3/61T - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1M-E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 9710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 3446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 3446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 314910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt |
на замовлення 1228129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - S1M-E3/61T - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1M-E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 9710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
S1M-E3/61T | Виробник : Vishay |
1A; 1000V; packaging: reel; equivalent: FM4007; GS1M; MRA4007 S1M diode rectifying DP S1M sq кількість в упаковці: 1800 шт |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|