S1M1000170D SMC DIODE SOLUTIONS
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 81W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Kind of package: tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 245.04 грн |
| 8+ | 121.41 грн |
| 22+ | 114.62 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1M1000170D SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 3.7A, Power dissipation: 81W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 1.9Ω, Mounting: THT, Gate charge: 10nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 15A, Kind of package: tube.
Інші пропозиції S1M1000170D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
S1M1000170D | SMC Diode Solutions |
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| S1M1000170D |
|
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.