S1M1000170D SMC DIODE SOLUTIONS
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 1.9Ω
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 81W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 222.62 грн |
| 10+ | 144.13 грн |
| 30+ | 135.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1M1000170D SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Drain-source voltage: 1.7kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -5...20V, Kind of package: tube, On-state resistance: 1.9Ω, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 81W, Gate charge: 10nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Drain current: 3.7A, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції S1M1000170D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
S1M1000170D | SMC Diode Solutions |
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| S1M1000170D |
|
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.