на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 541.58 грн |
| 10+ | 505.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S25FS512SAGNFI011 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S25FS512SAGNFI011 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, tariffCode: 85423275, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Serial-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 133MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 1.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 2V, Schnittstellen: SPI, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S25FS512SAGNFI011 за ціною від 425.99 грн до 622.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S25FS512SAGNFI011 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSONPackaging: Tube Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 133 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (6x8) Part Status: Active Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
S25FS512SAGNFI011 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S25FS512SAGNFI011 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, WSON-EP tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
S25FS512SAGNFI011 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 1.8V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 8ns 8-Pin WSON EP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| S25FS512SAGNFI011 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
S25FS512SAGNFI011 Serial FLASH memories - integrated circ. |
товару немає в наявності |