S25HL512TDPNHI010 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesNOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 9ns 8-Pin WSON EP Tray
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 492.16 грн |
| 100+ | 467.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S25HL512TDPNHI010 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S25HL512TDPNHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s), tariffCode: 85423261, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Serial-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: 133MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: QPI, SPI, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S25HL512TDPNHI010 за ціною від 409.05 грн до 1089.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
S25HL512TDPNHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 9ns 8-Pin WSON EP Tray |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S25HL512TDPNHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 9ns 8-Pin WSON EP Tray |
на замовлення 16989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S25HL512TDPNHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash SEMPER |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S25HL512TDPNHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Tray Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 133 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (6x8) Part Status: Active Memory Interface: SPI - Quad I/O Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S25HL512TDPNHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8 8-Pin WSON EP Tray |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S25HL512TDPNHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 9ns 8-Pin WSON EP Tray |
на замовлення 18928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S25HL512TDPNHI010 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S25HL512TDPNHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s) tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: QPI, SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| S25HL512TDPNHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять; Uживл, В = 2,7...3,6; Об'єм RAM = 512 Мбіт; Орг. пам. = 64М х 8; Тдост/Частота = 133 МГц; Тексп, °C = -40...+85; Тип інтерф. = Послідовний; WDFN-8 (Exp. Pad) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
S25HL512TDPNHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 9ns 8-Pin WSON EP Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
S25HL512TDPNHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 9ns 8-Pin WSON EP Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| S25HL512TDPNHI010 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 133MHz Operating voltage: 2.7...3.6V Case: WSON8 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |