
S26KL512SDABHI020 Infineon Technologies

Description: IC FLASH 256MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 96 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 713.54 грн |
10+ | 637.68 грн |
25+ | 617.90 грн |
50+ | 565.87 грн |
100+ | 551.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S26KL512SDABHI020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S26KL512SDABHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 100MHz, FBGA-24, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 96ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: 100MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: 100MHz, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit, Speichergröße: 512Mbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції S26KL512SDABHI020 за ціною від 613.91 грн до 995.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S26KL512SDABHI020 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 96ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: 100MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 100MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S26KL512SDABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 676 шт: термін постачання 141-150 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
S26KL512SDABHI020 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |