S26KL512SDABHI020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 96 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 887.65 грн |
| 10+ | 793.02 грн |
| 25+ | 768.41 грн |
| 50+ | 703.71 грн |
| 100+ | 686.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S26KL512SDABHI020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S26KL512SDABHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 100MHz, FBGA-24, tariffCode: 85423275, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, Zugriffszeit: 96ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: 100MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: 100MHz, Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Speichergröße: 512Mbit, Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.
Інші пропозиції S26KL512SDABHI020 за ціною від 547.99 грн до 547.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S26KL512SDABHI020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S26KL512SDABHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 100MHz, FBGA-24 tariffCode: 85423275 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit Zugriffszeit: 96ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: 100MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 100MHz Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Speichergröße: 512Mbit Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
S26KL512SDABHI020 | Infineon Technologies |
NOR Flash HYPERFLASH |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| S26KL512SDABHI020 | Cypress Semiconductor |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8 96ns 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| S26KL512SDABHI020 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S26KL512SDABHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 100MHz, FBGA-24
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Zugriffszeit: 96ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 100MHz
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Speichergröße: 512Mbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
Description: INFINEON - S26KL512SDABHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 100MHz, FBGA-24
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Zugriffszeit: 96ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 100MHz
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Speichergröße: 512Mbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S26KL512SDABHI020 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash HYPERFLASH
NOR Flash HYPERFLASH
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S26KL512SDABHI020 |
|
Виробник: Cypress Semiconductor
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8 96ns 24-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8 96ns 24-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 547.99 грн |