S27KL0641DABHI020 Infineon Technologies
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 109+ | 285.36 грн |
| 500+ | 269.85 грн |
| 1000+ | 255.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S27KL0641DABHI020 Infineon Technologies
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24, DRAM-Ausführung: HyperRAM, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, DRAM-Dichte: 64, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 36, Versorgungsspannung, nom.: 3, IC-Schnittstelle: HyperBus, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 100, Anzahl der Pins: 24, Produktpalette: S27KL, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції S27KL0641DABHI020 за ціною від 255.37 грн до 476.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
S27KL0641DABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
 DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 9593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S27KL0641DABHI020 | Виробник : CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES |
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24 DRAM-Ausführung: HyperRAM Bauform - Speicherbaustein: FBGA DRAM-Dichte: 64 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 36 Versorgungsspannung, nom.: 3 IC-Schnittstelle: HyperBus Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 100 Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: S27KL Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| S27KL0641DABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
S27KL0641DABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
S27KL0641DABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
S27KL0641DABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
S27KL0641DABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGA Packaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Memory Interface: Parallel Access Time: 40 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |