S27KL0641DABHI023 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 109+ | 324.58 грн |
| 500+ | 306.94 грн |
| 1000+ | 290.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S27KL0641DABHI023 Infineon Technologies
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI023 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24, DRAM-Ausführung: HyperRAM, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, DRAM-Dichte: 64, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 36, Versorgungsspannung, nom.: 3, IC-Schnittstelle: HyperBus, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 100, Anzahl der Pins: 24, Produktpalette: S27KL, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції S27KL0641DABHI023
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| S27KL0641DABHI023 | Cypress Semiconductor |
DRAM 64M PARALLEL FBGA-24 Мікросхеми пам'яті |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
S27KL0641DABHI023 | Infineon Technologies |
Description: IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Memory Interface: Parallel Access Time: 40 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| S27KL0641DABHI023 | Infineon / Cypress |
DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
S27KL0641DABHI023 | CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES |
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI023 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24DRAM-Ausführung: HyperRAM Bauform - Speicherbaustein: FBGA DRAM-Dichte: 64 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 36 Versorgungsspannung, nom.: 3 IC-Schnittstelle: HyperBus Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 100 Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: S27KL Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
S27KL0641DABHI023 | Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| S27KL0641DABHI023 |
![]() |
Виробник: Cypress Semiconductor
DRAM 64M PARALLEL FBGA-24 Мікросхеми пам'яті
DRAM 64M PARALLEL FBGA-24 Мікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S27KL0641DABHI023 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 40 ns
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 40 ns
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S27KL0641DABHI023 |
![]() |
Виробник: Infineon / Cypress
DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb
DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S27KL0641DABHI023 |
![]() |
Виробник: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI023 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
DRAM-Dichte: 64
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 36
Versorgungsspannung, nom.: 3
IC-Schnittstelle: HyperBus
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: S27KL
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI023 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
DRAM-Dichte: 64
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 36
Versorgungsspannung, nom.: 3
IC-Schnittstelle: HyperBus
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: S27KL
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S27KL0641DABHI023 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA T/R
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.





