Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > S27KL0641DABHV020
S27KL0641DABHV020

S27KL0641DABHV020 Infineon Technologies

1.8_v_64_mb_8_mb_128_mb_16_mb_hyperram_self-refresh_dram.pdf Виробник: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+316.21 грн
101+302.99 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S27KL0641DABHV020 Infineon Technologies

Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV020 - DRAM, HyperRAM, PSRAM, 64MB, 8M x 8 Bit, 100MHz, FBGA, 24 Pins, DRAM-Ausführung: HyperRAM, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, DRAM-Dichte: 64, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 36, Versorgungsspannung, nom.: 3, IC-Schnittstelle: HyperBus, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 100, Anzahl der Pins: 24, Produktpalette: S27KL, Betriebstemperatur, max.: 105, Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції S27KL0641DABHV020

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S27KL0641DABHV020 S27KL0641DABHV020 Виробник : Infineon Technologies _v_64_mb_8_mb_128_mb_16_mb_hyperram_tm_self-refresh_dram.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S27KL0641DABHV020 S27KL0641DABHV020 Виробник : Infineon Technologies _v_64_mb_8_mb_128_mb_16_mb_hyperram_tm_self-refresh_dram.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S27KL0641DABHV020 S27KL0641DABHV020 Виробник : Infineon Technologies 1.8_v_64_mb_8_mb_128_mb_16_mb_hyperram_self-refresh_dram.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S27KL0641DABHV020 S27KL0641DABHV020 Виробник : CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES 2280498.pdf Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV020 - DRAM, HyperRAM, PSRAM, 64MB, 8M x 8 Bit, 100MHz, FBGA, 24 Pins
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
DRAM-Dichte: 64
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 36
Versorgungsspannung, nom.: 3
IC-Schnittstelle: HyperBus
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: S27KL
Betriebstemperatur, max.: 105
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S27KL0641DABHV020 S27KL0641DABHV020 Виробник : Infineon Technologies Infineon-S27KL0641_S27KS0641_S70KL1281_S70KS1281_3.0_V_1.8_V_64_Mb_(8_MB)_128_Mb_(16_MB)_HyperRAM_Self-Refresh_DRAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed18c684db5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_ca Description: IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Access Time: 40 ns
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S27KL0641DABHV020 Виробник : Cypress Semiconductor CYPR_S_A0011122227_1-2541245.pdf DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.