S27KS0641DPBHI020 Infineon Technologies
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 155.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S27KS0641DPBHI020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, parallele Schnittstelle, FBGA-24, tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції S27KS0641DPBHI020 за ціною від 166.38 грн до 441.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S27KS0641DPBHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S27KS0641DPBHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S27KS0641DPBHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 2162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S27KS0641DPBHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 3428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S27KS0641DPBHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 3714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S27KS0641DPBHI020 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, parallele Schnittstelle, FBGA-24tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 64Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
S27KS0641DPBHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM HyperRAM 1.8-V 64Mb |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
S27KS0641DPBHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
S27KS0641DPBHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
S27KS0641DPBHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
S27KS0641DPBHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
S27KS0641DPBHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 24FBGAPackaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Obsolete Memory Interface: Parallel Access Time: 40 ns Memory Organization: 8M x 8 |
товару немає в наявності |

