S27KS0642GABHB020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100
на замовлення 7818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 91+ | 338.76 грн |
| 100+ | 322.34 грн |
| 500+ | 304.89 грн |
| 1000+ | 278.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S27KS0642GABHB020 Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 24-VBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 64Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8), Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Memory Interface: HyperBus, Access Time: 35 ns, Memory Organization: 8M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції S27KS0642GABHB020 за ціною від 322.34 грн до 338.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S27KS0642GABHB020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
S27KS0642GABHB020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||
|
S27KS0642GABHB020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
S27KS0642GABHB020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V Automotive 24-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
|
S27KS0642GABHB020 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGAPackaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||
| S27KS0642GABHB020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
товару немає в наявності |
||||||||
| S27KS0642GABHB020 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 64Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus |
товару немає в наявності |
