S27KS0642GABHI030 Infineon Technologies
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 115+ | 111.26 грн |
| 116+ | 105.73 грн |
| 117+ | 97.52 грн |
| 250+ | 93.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S27KS0642GABHI030 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S27KS0642GABHI030 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423219, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S27KS0642GABHI030 за ціною від 100.00 грн до 289.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
S27KS0642GABHI030 | Виробник : Infineon Technologies |
 DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S27KS0642GABHI030 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S27KS0642GABHI030 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S27KS0642GABHI030 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S27KS0642GABHI030 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423219 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 64Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S27KS0642GABHI030 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S27KS0642GABHI030 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S27KS0642GABHI030 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA Packaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S27KS0642GABHI030 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S27KS0642GABHI030 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |