S27KS0642GABHI030 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 115+ | 123.07 грн |
| 116+ | 116.96 грн |
| 117+ | 107.88 грн |
| 250+ | 103.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S27KS0642GABHI030 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S27KS0642GABHI030 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423219, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit.
Інші пропозиції S27KS0642GABHI030 за ціною від 103.24 грн до 276.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S27KS0642GABHI030 | Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S27KS0642GABHI030 | Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S27KS0642GABHI030 | Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S27KS0642GABHI030 | Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S27KS0642GABHI030 | Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S27KS0642GABHI030 | INFINEON |
Description: INFINEON - S27KS0642GABHI030 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423219 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 64Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
S27KS0642GABHI030 | Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S27KS0642GABHI030 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 226.44 грн |
| 7+ | 123.07 грн |
| 10+ | 122.13 грн |
| 25+ | 117.32 грн |
| 50+ | 108.29 грн |
| 100+ | 103.56 грн |
| 250+ | 103.24 грн |
| S27KS0642GABHI030 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 256.98 грн |
| S27KS0642GABHI030 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 261.59 грн |
| S27KS0642GABHI030 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 261.59 грн |
| S27KS0642GABHI030 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 128+ | 276.30 грн |
| S27KS0642GABHI030 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0642GABHI030 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
Description: INFINEON - S27KS0642GABHI030 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S27KS0642GABHI030 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
DRAM SPCM
DRAM SPCM
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




