S29GL01GS10FHI010 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 780.00 грн |
| 10+ | 696.47 грн |
| 25+ | 674.81 грн |
| 50+ | 617.95 грн |
| 180+ | 589.98 грн |
| 360+ | 575.12 грн |
| 540+ | 559.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GS10FHI010 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GS10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 100ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, Speichergröße: 1Gbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL01GS10FHI010 за ціною від 671.21 грн до 1126.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL01GS10FHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S29GL01GS10FHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash U |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S29GL01GS10FHI010 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GS10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 100ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit Speichergröße: 1Gbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GS10FHI010 | Виробник : Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| S29GL01GS10FHI010 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
S29GL01GS10FHI010 Parallel FLASH memories - integ. circ. |
товару немає в наявності |