на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 735.99 грн |
| 2200+ | 725.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GS11DHIV13 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GS11DHIV13 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL01GS11DHIV13 за ціною від 621.96 грн до 1382.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL01GS11DHIV13 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
S29GL01GS11DHIV13 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA T/R |
на замовлення 5171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
S29GL01GS11DHIV13 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA T/R |
на замовлення 5171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
S29GL01GS11DHIV13 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GS11DHIV13 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
S29GL01GS11DHIV13 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GS11DHIV13 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
S29GL01GS11DHIV13 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| S29GL01GS11DHIV13 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Flash Memory: 1Gb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Output voltage: 1.65...3.6V DC кількість в упаковці: 2200 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
S29GL01GS11DHIV13 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| S29GL01GS11DHIV13 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Flash Memory: 1Gb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Output voltage: 1.65...3.6V DC |
товару немає в наявності |