S29GL01GS11DHIV20 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1401.33 грн |
| 10+ | 1251.32 грн |
| 25+ | 1212.04 грн |
| 50+ | 1109.74 грн |
| 100+ | 1082.29 грн |
| 260+ | 1045.02 грн |
| 520+ | 1001.82 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GS11DHIV20 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GS11DHIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins, tariffCode: 85423275, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: -, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 64Pin(s), Speichergröße: 1Gbit, Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.
Інші пропозиції S29GL01GS11DHIV20 за ціною від 1406.91 грн до 2032.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S29GL01GS11DHIV20 | Infineon Technologies |
NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 801 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL01GS11DHIV20 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GS11DHIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 PinstariffCode: 85423275 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Speichergröße: 1Gbit Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S29GL01GS11DHIV20 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash
NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash
на замовлення 801 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2032.88 грн |
| 10+ | 1857.61 грн |
| 25+ | 1564.91 грн |
| 50+ | 1529.55 грн |
| 100+ | 1487.41 грн |
| 250+ | 1437.76 грн |
| 520+ | 1406.91 грн |
| S29GL01GS11DHIV20 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS11DHIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Speichergröße: 1Gbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
Description: INFINEON - S29GL01GS11DHIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Speichergröße: 1Gbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




