Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > S29GL01GS11FHIV10
S29GL01GS11FHIV10

S29GL01GS11FHIV10 Infineon Technologies

infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 16
Access Time: 110 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tray
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1003.41 грн
10+896.55 грн
25+868.67 грн
50+795.49 грн
180+759.48 грн
360+740.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S29GL01GS11FHIV10 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL01GS11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 110ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: -, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, Speichergröße: 1Gbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції S29GL01GS11FHIV10 за ціною від 705.43 грн до 1301.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S29GL01GS11FHIV10 S29GL01GS11FHIV10 Infineon Technologies b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v21_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1237.29 грн
10+1135.04 грн
25+1109.05 грн
40+945.42 грн
180+824.34 грн
360+766.34 грн
540+734.59 грн
1080+705.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 S29GL01GS11FHIV10 Infineon Technologies b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v21_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1237.29 грн
13+1135.04 грн
25+1109.05 грн
40+945.42 грн
180+824.34 грн
360+766.34 грн
540+734.59 грн
1080+705.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 S29GL01GS11FHIV10 Infineon Technologies b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v21_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1301.26 грн
13+1115.71 грн
50+1000.35 грн
100+886.44 грн
200+836.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 S29GL01GS11FHIV10 Cypress Semiconductor CYPR_S_A0001699592_1-2540492.pdf NOR Flash Nor
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 S29GL01GS11FHIV10 Infineon Technologies Infineon_S29GL01GS_S29GL512S_S29GL256S_S29GL128S_1-3363553.pdf NOR Flash Nor
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 S29GL01GS11FHIV10 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL01GS11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v21_00-en.pdf
S29GL01GS11FHIV10
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1237.29 грн
10+1135.04 грн
25+1109.05 грн
40+945.42 грн
180+824.34 грн
360+766.34 грн
540+734.59 грн
1080+705.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v21_00-en.pdf
S29GL01GS11FHIV10
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1237.29 грн
13+1135.04 грн
25+1109.05 грн
40+945.42 грн
180+824.34 грн
360+766.34 грн
540+734.59 грн
1080+705.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v21_00-en.pdf
S29GL01GS11FHIV10
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1301.26 грн
13+1115.71 грн
50+1000.35 грн
100+886.44 грн
200+836.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 CYPR_S_A0001699592_1-2540492.pdf
S29GL01GS11FHIV10
Виробник: Cypress Semiconductor
NOR Flash Nor
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 Infineon_S29GL01GS_S29GL512S_S29GL256S_S29GL128S_1-3363553.pdf
S29GL01GS11FHIV10
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Nor
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL01GS11FHIV10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.