S29GL01GS11TFIV10 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1035.46 грн |
| 10+ | 884.29 грн |
| 25+ | 843.23 грн |
| 40+ | 772.26 грн |
| 91+ | 739.95 грн |
| 273+ | 698.80 грн |
| 455+ | 669.27 грн |
| 1001+ | 642.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GS11TFIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GS11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s), tariffCode: 85423290, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.
Інші пропозиції S29GL01GS11TFIV10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
S29GL01GS11TFIV10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GS11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
S29GL01GS11TFIV10 | Cypress / Spansion |
NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
S29GL01GS11TFIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S29GL01GS11TFIV10 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
Description: INFINEON - S29GL01GS11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S29GL01GS11TFIV10 |
![]() |
Виробник: Cypress / Spansion
NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash
NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S29GL01GS11TFIV10 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash
NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




