на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1046.82 грн |
| 10+ | 956.13 грн |
| 25+ | 786.14 грн |
| 50+ | 775.17 грн |
| 100+ | 766.25 грн |
| 260+ | 739.50 грн |
| 520+ | 721.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GS12DHVV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 120ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, Speichergröße: 1Gbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL01GS12DHVV10 за ціною від 790.94 грн до 1202.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL01GS12DHVV10 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGAPackaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
S29GL01GS12DHVV10 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 120ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit Speichergröße: 1Gbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
S29GL01GS12DHVV10 | Виробник : Infineon / Cypress |
NOR Flash Nor |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|