S29GL01GS12DHVV10 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1145.79 грн |
| 10+ | 1023.16 грн |
| 25+ | 991.19 грн |
| 40+ | 914.87 грн |
| 80+ | 892.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GS12DHVV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 120ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, Speichergröße: 1Gbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL01GS12DHVV10 за ціною від 715.56 грн до 1339.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL01GS12DHVV10 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 120ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit Speichergröße: 1Gbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S29GL01GS12DHVV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Nor |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GS12DHVV10 | Виробник : Infineon / Cypress |
NOR Flash Nor |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| S29GL01GS12DHVV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|