Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > S29GL01GS12DHVV10
S29GL01GS12DHVV10

S29GL01GS12DHVV10 Infineon Technologies

Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1069.82 грн
10+955.33 грн
25+925.47 грн
40+854.21 грн
80+833.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S29GL01GS12DHVV10 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: -, Zugriffszeit: 120ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 64Pin(s), Speichergröße: 1Gbit, Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.

Інші пропозиції S29GL01GS12DHVV10 за ціною від 914.63 грн до 2110.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S29GL01GS12DHVV10 S29GL01GS12DHVV10 Infineon / Cypress CYPR_S_A0011119701_1-3004839.pdf NOR Flash Nor
на замовлення 243 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1282.38 грн
10+1170.71 грн
25+1004.11 грн
50+991.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS12DHVV10 S29GL01GS12DHVV10 Infineon Technologies Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai NOR Flash PNOR
на замовлення 193 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2110.00 грн
10+1926.79 грн
25+1622.08 грн
50+1582.59 грн
100+1543.10 грн
260+1491.90 грн
520+1423.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS12DHVV10 S29GL01GS12DHVV10 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Speichergröße: 1Gbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS12DHVV10 Cypress Semiconductor Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+914.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS12DHVV10 CYPR_S_A0011119701_1-3004839.pdf
S29GL01GS12DHVV10
Виробник: Infineon / Cypress
NOR Flash Nor
на замовлення 243 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1282.38 грн
10+1170.71 грн
25+1004.11 грн
50+991.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS12DHVV10 Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
S29GL01GS12DHVV10
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash PNOR
на замовлення 193 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2110.00 грн
10+1926.79 грн
25+1622.08 грн
50+1582.59 грн
100+1543.10 грн
260+1491.90 грн
520+1423.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS12DHVV10 INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL01GS12DHVV10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Speichergröße: 1Gbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS12DHVV10 Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Виробник: Cypress Semiconductor
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+914.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.