
S29GL01GT10DHI010 Infineon Technologies

Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 827.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GT10DHI010 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423269, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL01GT10DHI010 за ціною від 726.57 грн до 1686.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 128M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Cypress Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |