S29GL01GT10DHI010 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1028.42 грн |
| 10+ | 918.56 грн |
| 25+ | 889.87 грн |
| 50+ | 814.85 грн |
| 100+ | 794.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GT10DHI010 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423269, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL01GT10DHI010 за ціною від 980.31 грн до 1955.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL01GT10DHI010 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
S29GL01GT10DHI010 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
S29GL01GT10DHI010 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
S29GL01GT10DHI010 | Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
S29GL01GT10DHI010 | Infineon Technologies |
NOR Flash Nor |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
S29GL01GT10DHI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S29GL01GT10DHI010 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1137.62 грн |
| 10+ | 1079.76 грн |
| 25+ | 980.31 грн |
| S29GL01GT10DHI010 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 1137.62 грн |
| 14+ | 1079.76 грн |
| 25+ | 980.31 грн |
| S29GL01GT10DHI010 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 1955.22 грн |
| 9+ | 1583.37 грн |
| 10+ | 1487.40 грн |
| 50+ | 1272.35 грн |
| 100+ | 1092.42 грн |
| 200+ | 1028.16 грн |
| S29GL01GT10DHI010 |
|
Виробник: Cypress Semiconductor
NOR Flash Nor
NOR Flash Nor
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S29GL01GT10DHI010 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Nor
NOR Flash Nor
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S29GL01GT10DHI010 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)