S29GL01GT10DHI010 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 988.76 грн |
| 10+ | 918.01 грн |
| 25+ | 888.67 грн |
| 50+ | 805.17 грн |
| 100+ | 724.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GT10DHI010 INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423269, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL01GT10DHI010 за ціною від 761.43 грн до 1727.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 128M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Nor |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |