Продукція > SPANSION > S29GL01GT10DHI010

S29GL01GT10DHI010 Spansion


infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: Spansion
Description: FLASH, 64MX16, 100NS, PBGA64
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+1049.92 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 21 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S29GL01GT10DHI010 Spansion

Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423269, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.

Інші пропозиції S29GL01GT10DHI010 за ціною від 984.69 грн до 1963.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S29GL01GT10DHI010 S29GL01GT10DHI010 Infineon Technologies b_64_mb_gl-t_mirrorbit_eclipse_flash-datasheet-v14_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.69 грн
10+1084.58 грн
25+984.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHI010 S29GL01GT10DHI010 Infineon Technologies b_64_mb_gl-t_mirrorbit_eclipse_flash-datasheet-v14_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1142.69 грн
14+1084.58 грн
25+984.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHI010 S29GL01GT10DHI010 Infineon Technologies b_64_mb_gl-t_mirrorbit_eclipse_flash-datasheet-v14_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1963.95 грн
9+1590.44 грн
10+1494.04 грн
50+1278.03 грн
100+1097.30 грн
200+1032.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHI010 S29GL01GT10DHI010 Cypress Semiconductor infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce NOR Flash Nor
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHI010 S29GL01GT10DHI010 Infineon Technologies Infineon_S29GL01GT_S29GL512T_1_Gb__128_MB__512_Mb_-3363614.pdf NOR Flash Nor
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHI010 S29GL01GT10DHI010 INFINEON 2309620.pdf Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHI010 b_64_mb_gl-t_mirrorbit_eclipse_flash-datasheet-v14_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1142.69 грн
10+1084.58 грн
25+984.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHI010 b_64_mb_gl-t_mirrorbit_eclipse_flash-datasheet-v14_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1142.69 грн
14+1084.58 грн
25+984.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHI010 b_64_mb_gl-t_mirrorbit_eclipse_flash-datasheet-v14_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1963.95 грн
9+1590.44 грн
10+1494.04 грн
50+1278.03 грн
100+1097.30 грн
200+1032.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHI010 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: Cypress Semiconductor
NOR Flash Nor
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHI010 Infineon_S29GL01GT_S29GL512T_1_Gb__128_MB__512_Mb_-3363614.pdf
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Nor
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHI010 2309620.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.