| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 1091.92 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
21 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GT10DHI010 Spansion
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423269, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.
Інші пропозиції S29GL01GT10DHI010 за ціною від 976.81 грн до 2090.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S29GL01GT10DHI010 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL01GT10DHI010 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL01GT10DHI010 | Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL01GT10DHI010 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL01GT10DHI010 | Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
на замовлення 209 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL01GT10DHI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, paralleltariffCode: 85423269 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S29GL01GT10DHI010 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1188.40 грн |
| 10+ | 1127.96 грн |
| 25+ | 1024.08 грн |
| S29GL01GT10DHI010 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 1188.40 грн |
| 14+ | 1127.96 грн |
| 25+ | 1024.08 грн |
| S29GL01GT10DHI010 |
![]() |
Виробник: Cypress Semiconductor
NOR Flash Nor
NOR Flash Nor
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1263.28 грн |
| 10+ | 1152.93 грн |
| 25+ | 988.92 грн |
| 50+ | 976.81 грн |
| S29GL01GT10DHI010 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2042.50 грн |
| 9+ | 1654.05 грн |
| 10+ | 1553.81 грн |
| 50+ | 1329.15 грн |
| 100+ | 1141.19 грн |
| 200+ | 1074.06 грн |
| S29GL01GT10DHI010 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash PNOR
NOR Flash PNOR
на замовлення 209 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2090.16 грн |
| 10+ | 1907.91 грн |
| 25+ | 1606.81 грн |
| 50+ | 1567.43 грн |
| 100+ | 1528.06 грн |
| 260+ | 1476.57 грн |
| 520+ | 1440.22 грн |
| S29GL01GT10DHI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






