S29GL01GT10FHI010 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1177.38 грн |
| 10+ | 1051.95 грн |
| 25+ | 1019.11 грн |
| 50+ | 933.19 грн |
| 180+ | 890.88 грн |
| 360+ | 868.42 грн |
| 540+ | 841.44 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GT10FHI010 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GT10FHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423269, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.
Інші пропозиції S29GL01GT10FHI010
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL01GT10FHI010 | Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
S29GL01GT10FHI010 | Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
S29GL01GT10FHI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GT10FHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel tariffCode: 85423269 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S29GL01GT10FHI010 |
|
Виробник: Cypress Semiconductor
NOR Flash Nor
NOR Flash Nor
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S29GL01GT10FHI010 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash PNOR
NOR Flash PNOR
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S29GL01GT10FHI010 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GT10FHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
Description: INFINEON - S29GL01GT10FHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)