S29GL01GT10FHI020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesNOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 833.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GT10FHI020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GT10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423269, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 64Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.
Інші пропозиції S29GL01GT10FHI020 за ціною від 668.27 грн до 1644.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GT10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 64Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
на замовлення 887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 128M x 8 DigiKey Programmable: Verified |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
S29GL01GT10FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| S29GL01GT10FHI020 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
S29GL01GT10FHI020 Parallel FLASH memories - integ. circ. |
товару немає в наявності |