S29GL01GT10TFI010 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1026.75 грн |
| 10+ | 917.10 грн |
| 25+ | 888.42 грн |
| 91+ | 796.20 грн |
| 182+ | 776.33 грн |
| 273+ | 764.84 грн |
| 546+ | 733.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GT10TFI010 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GT10TFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423269, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції S29GL01GT10TFI010 за ціною від 717.69 грн до 1164.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL01GT10TFI010 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GT10TFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S29GL01GT10TFI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| S29GL01GT10TFI010 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel Operating temperature: -40...85°C Memory: 1Gb FLASH Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Kind of interface: parallel Mounting: SMD Interface: CFI; parallel Case: TSOP56 Operating voltage: 2.7...3.6V |
товару немає в наявності |