S29GL01GT11FHIV10 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 110 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1012.20 грн |
| 10+ | 904.07 грн |
| 25+ | 875.83 грн |
| 50+ | 801.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GT11FHIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, Speichergröße: 1Gbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції S29GL01GT11FHIV10 за ціною від 1043.97 грн до 2113.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL01GT11FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
S29GL01GT11FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
S29GL01GT11FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
S29GL01GT11FHIV10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit Speichergröße: 1Gbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
S29GL01GT11FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash NOR |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
S29GL01GT11FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S29GL01GT11FHIV10 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1405.74 грн |
| 25+ | 1365.19 грн |
| 40+ | 1168.68 грн |
| 180+ | 1043.97 грн |
| S29GL01GT11FHIV10 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2086.38 грн |
| S29GL01GT11FHIV10 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2113.67 грн |
| 9+ | 1719.60 грн |
| 10+ | 1600.18 грн |
| 50+ | 1370.30 грн |
| 100+ | 1183.50 грн |
| 200+ | 1105.46 грн |
| S29GL01GT11FHIV10 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S29GL01GT11FHIV10 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash NOR
NOR Flash NOR
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S29GL01GT11FHIV10 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)