S29GL01GT11FHIV10 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 110 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1042.70 грн |
| 10+ | 931.32 грн |
| 25+ | 902.22 грн |
| 50+ | 826.17 грн |
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Технічний опис S29GL01GT11FHIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, Speichergröße: 1Gbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції S29GL01GT11FHIV10 за ціною від 706.24 грн до 1371.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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S29GL01GT11FHIV10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit Speichergröße: 1Gbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S29GL01GT11FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash NOR |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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| S29GL01GT11FHIV10 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1188.22 грн |
| 10+ | 1027.87 грн |
| 25+ | 999.91 грн |
| 50+ | 846.79 грн |
| 100+ | 706.24 грн |
| S29GL01GT11FHIV10 |
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Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash NOR
NOR Flash NOR
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1371.59 грн |
| 10+ | 1253.11 грн |
| 25+ | 1055.83 грн |
| 50+ | 1030.46 грн |
| 100+ | 1005.08 грн |
| 250+ | 971.95 грн |
| 500+ | 947.29 грн |




