S29GL01GT11FHIV10 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesNOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 891.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GT11FHIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, Speichergröße: 1Gbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL01GT11FHIV10 за ціною від 673.08 грн до 1871.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL01GT11FHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash NOR |
на замовлення 2243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
S29GL01GT11FHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 128M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
S29GL01GT11FHIV10 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit Speichergröße: 1Gbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
S29GL01GT11FHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
S29GL01GT11FHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
S29GL01GT11FHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
S29GL01GT11FHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| S29GL01GT11FHIV10 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Case: BGA64 Mounting: SMD Kind of package: in-tray Kind of interface: parallel Operating temperature: -40...85°C Access time: 110ns Output voltage: 1.65...3.6V DC Operating voltage: 2.7...3.6V Memory: 1Gb FLASH Interface: CFI; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR |
товару немає в наявності |