S29GL01GT11FHIV10 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1054.68 грн |
| 10+ | 942.01 грн |
| 25+ | 912.59 грн |
| 50+ | 835.65 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL01GT11FHIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: -, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 64Pin(s), Speichergröße: 1Gbit, Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.
Інші пропозиції S29GL01GT11FHIV10 за ціною від 1100.15 грн до 2227.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL01GT11FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
S29GL01GT11FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash NOR |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
S29GL01GT11FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
S29GL01GT11FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
S29GL01GT11FHIV10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: - Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Speichergröße: 1Gbit Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
S29GL01GT11FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S29GL01GT11FHIV10 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1481.39 грн |
| 25+ | 1438.65 грн |
| 40+ | 1231.56 грн |
| 180+ | 1100.15 грн |
| S29GL01GT11FHIV10 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash NOR
NOR Flash NOR
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2099.09 грн |
| 10+ | 2052.49 грн |
| 25+ | 1728.50 грн |
| 50+ | 1685.92 грн |
| 100+ | 1609.11 грн |
| 250+ | 1568.05 грн |
| S29GL01GT11FHIV10 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2198.65 грн |
| S29GL01GT11FHIV10 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2227.41 грн |
| 9+ | 1812.13 грн |
| 10+ | 1686.29 грн |
| 50+ | 1444.04 грн |
| 100+ | 1247.19 грн |
| 200+ | 1164.94 грн |
| S29GL01GT11FHIV10 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Speichergröße: 1Gbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Speichergröße: 1Gbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S29GL01GT11FHIV10 |
|
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)