S29GL01GT11TFIV20 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1359.19 грн |
| 10+ | 1213.26 грн |
| 25+ | 1175.19 грн |
| 91+ | 1053.02 грн |
| 182+ | 1026.68 грн |
| 273+ | 1011.46 грн |
| 546+ | 969.63 грн |
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Технічний опис S29GL01GT11TFIV20 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GT11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, TSOP-56, tariffCode: 85423275, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: TSOP, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: -, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: -, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 56Pin(s), Speichergröße: 1Gbit, Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.
Інші пропозиції S29GL01GT11TFIV20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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S29GL01GT11TFIV20 | Infineon Technologies |
NOR Flash NOR |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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S29GL01GT11TFIV20 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GT11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, TSOP-56 tariffCode: 85423275 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: TSOP IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 1Gbit MSL: - Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 56Pin(s) Speichergröße: 1Gbit Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
на замовлення 869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S29GL01GT11TFIV20 |
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Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash NOR
NOR Flash NOR
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S29GL01GT11TFIV20 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GT11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, TSOP-56
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
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isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Speichergröße: 1Gbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
Description: INFINEON - S29GL01GT11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, TSOP-56
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Speichergröße: 1Gbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)