Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > S29GL128P11TFIV10
S29GL128P11TFIV10

S29GL128P11TFIV10 Infineon Technologies

128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
Memory Organization: 16M x 8
Access Time: 110 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 110ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 56-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+460.69 грн
10+412.78 грн
25+400.32 грн
91+359.17 грн
182+350.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S29GL128P11TFIV10 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL128P11TFIV10 - Flash-Speicher, MirrorBit-Architektur, Parallel-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, tariffCode: 85423275, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 128Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit.

Інші пропозиції S29GL128P11TFIV10 за ціною від 284.04 грн до 554.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
S29GL128P11TFIV10 S29GL128P11TFIV10 Infineon Technologies Infineon_S29GL01GP_S29GL512P_S29GL256P_S29GL128P_1-3363530.pdf NOR Flash 128MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR Flash
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.58 грн
10+385.82 грн
100+329.86 грн
250+320.70 грн
500+317.17 грн
910+314.35 грн
5460+284.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128P11TFIV10 S29GL128P11TFIV10 INFINEON 2309618.pdf Description: INFINEON - S29GL128P11TFIV10 - Flash-Speicher, MirrorBit-Architektur, Parallel-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.23 грн
10+515.58 грн
25+499.96 грн
50+430.65 грн
100+387.65 грн
250+384.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128P11TFIV10 Infineon_S29GL01GP_S29GL512P_S29GL256P_S29GL128P_1-3363530.pdf
S29GL128P11TFIV10
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash 128MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR Flash
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+515.58 грн
10+385.82 грн
100+329.86 грн
250+320.70 грн
500+317.17 грн
910+314.35 грн
5460+284.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128P11TFIV10 2309618.pdf
S29GL128P11TFIV10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL128P11TFIV10 - Flash-Speicher, MirrorBit-Architektur, Parallel-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+554.23 грн
10+515.58 грн
25+499.96 грн
50+430.65 грн
100+387.65 грн
250+384.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.