на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
38+ | 800.37 грн |
100+ | 759.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512S10DHA010 Cypress Semiconductor
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ., Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel, Type of integrated circuit: FLASH memory, Kind of memory: NOR, Memory: 512Mb FLASH, Interface: CFI; parallel, Operating voltage: 2.7...3.6V, Case: BGA64, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 100ns, Output voltage: 2.7...3.6V DC, Application: automotive, Kind of package: in-tray, кількість в упаковці: 2600 шт.
Інші пропозиції S29GL512S10DHA010 за ціною від 759.90 грн до 800.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S29GL512S10DHA010 | Виробник : Cypress Semiconductor |
![]() |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
S29GL512S10DHA010 | Виробник : Spansion |
![]() |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
S29GL512S10DHA010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
S29GL512S10DHA010 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 100ns Output voltage: 2.7...3.6V DC Application: automotive Kind of package: in-tray кількість в упаковці: 2600 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
S29GL512S10DHA010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||
S29GL512S10DHA010 | Виробник : Cypress Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
S29GL512S10DHA010 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 100ns Output voltage: 2.7...3.6V DC Application: automotive Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |