S29GL512S10FHI010 Cypress / Spansion
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 819.52 грн |
| 10+ | 748.29 грн |
| 25+ | 635.90 грн |
| 50+ | 632.20 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512S10FHI010 Cypress / Spansion
Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins, tariffCode: 85423275, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: -, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 64Pin(s), Speichergröße: 512Mbit, Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.
Інші пропозиції S29GL512S10FHI010 за ціною від 737.82 грн до 1396.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S29GL512S10FHI010 | Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGAPackaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Verified |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512S10FHI010 | Infineon Technologies |
NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 844 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512S10FHI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 PinstariffCode: 85423275 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Speichergröße: 512Mbit Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S29GL512S10FHI010 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Verified
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 974.04 грн |
| 10+ | 870.60 грн |
| 25+ | 843.70 грн |
| 50+ | 772.68 грн |
| 180+ | 737.82 грн |
| S29GL512S10FHI010 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash
NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash
на замовлення 844 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1396.63 грн |
| 10+ | 1277.19 грн |
| 25+ | 1075.85 грн |
| 50+ | 1049.97 грн |
| 100+ | 1024.09 грн |
| 250+ | 990.82 грн |
| 500+ | 964.94 грн |
| S29GL512S10FHI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Speichergröße: 512Mbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Speichergröße: 512Mbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





