S29GL512S10TFI010 Infineon Technologies
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 523.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512S10TFI010 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512S10TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s), tariffCode: 85423261, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: -V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції S29GL512S10TFI010 за ціною від 486.84 грн до 1807.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL512S10TFI010 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOPPackaging: Tray Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Verified |
на замовлення 1163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
S29GL512S10TFI010 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512S10TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s) tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: -V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
S29GL512S10TFI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
S29GL512S10TFI010 | Виробник : Cypress / Spansion |
NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 3640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI010 | Виробник : INFINEON (CYPRESS) |
S29GL512S10TFI010 Parallel FLASH memories - integ. circ. |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|