S29GL512S10TFI013 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 568.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512S10TFI013 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512S10TFI013 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL512S10TFI013 за ціною від 504.35 грн до 838.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL512S10TFI013 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - S29GL512S10TFI013 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s)rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S29GL512S10TFI013 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash 512MB 3V 100ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S29GL512S10TFI013 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL512S10TFI013 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512S10TFI013 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL512S10TFI013 | Виробник : Cypress / Spansion |
NOR Flash 512MB 3V 100ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI013 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 100ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
S29GL512S10TFI013 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI013 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 100ns Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |