Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > S29GL512S11DHB010

S29GL512S11DHB010 Infineon Technologies

infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+763.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S29GL512S11DHB010 Infineon Technologies

Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 64-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9), Grade: Automotive, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 110 ns, Memory Organization: 32M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції S29GL512S11DHB010 за ціною від 720.76 грн до 1202.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S29GL512S11DHB010 Виробник : Infineon Technologies infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+818.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHB010 Виробник : Infineon Technologies infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+932.93 грн
100+886.38 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHB010 Виробник : Cypress Semiconductor _mbit_32_mbyte_128_mbit_16_mbyte_3.0_v_gl-s_flash_memory.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns Automotive 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+932.93 грн
100+886.38 грн
500+839.84 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHB010 Виробник : Infineon Technologies b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v21_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns Automotive AEC-Q100 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1202.56 грн
2600+720.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHB010 Виробник : Infineon Technologies infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHB010 Виробник : Infineon Technologies infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHB010 Виробник : Infineon Technologies infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHB010 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 110ns
Application: automotive
Kind of package: in-tray
кількість в упаковці: 2600 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHB010 S29GL512S11DHB010 Виробник : Infineon Technologies Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHB010 S29GL512S11DHB010 Виробник : Cypress Semiconductor 001_98285_1_GBIT_128_MBYTE_512_MBIT_64_MBYTE_256_M-1102589.pdf NOR Flash Nor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHB010 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 110ns
Application: automotive
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.