
S29GL512S11DHI010 Infineon Technologies

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 569.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512S11DHI010 Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 64-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 110 ns, Memory Organization: 32M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції S29GL512S11DHI010 за ціною від 430.53 грн до 738.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S29GL512S11DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S29GL512S11DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S29GL512S11DHI010 | Виробник : Cypress Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S29GL512S11DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S29GL512S11DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S29GL512S11DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
S29GL512S11DHI010 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 110ns Output voltage: 2.7...3.6V DC Kind of package: in-tray кількість в упаковці: 1300 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
S29GL512S11DHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
S29GL512S11DHI010 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 110ns Output voltage: 2.7...3.6V DC Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |