S29GL512S11DHI010

S29GL512S11DHI010 Infineon Technologies


b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v20_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S29GL512S11DHI010 Infineon Technologies

Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 64-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 110 ns, Memory Organization: 32M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції S29GL512S11DHI010 за ціною від 438.87 грн до 753.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S29GL512S11DHI010 S29GL512S11DHI010 Виробник : Infineon Technologies L256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL-S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3-DataSheet-v22_00-EN.pdf NOR Flash 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR Flash
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+589.54 грн
10+557.13 грн
25+448.91 грн
100+439.64 грн
250+438.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHI010 S29GL512S11DHI010 Виробник : Infineon Technologies infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+647.26 грн
21+617.88 грн
25+594.45 грн
50+571.46 грн
100+504.38 грн
250+465.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHI010 S29GL512S11DHI010 Виробник : Cypress Semiconductor _mbit_32_mbyte_128_mbit_16_mbyte_3.0_v_gl-s_flash_memory.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+689.01 грн
100+654.97 грн
500+619.90 грн
1000+564.94 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHI010 S29GL512S11DHI010 Виробник : Infineon Technologies infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+693.49 грн
10+662.01 грн
25+636.91 грн
50+612.28 грн
100+540.41 грн
250+499.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHI010 S29GL512S11DHI010 Виробник : Infineon Technologies infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+753.24 грн
18+719.05 грн
25+691.78 грн
50+665.04 грн
100+586.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHI010 S29GL512S11DHI010 Виробник : Infineon Technologies infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHI010 S29GL512S11DHI010 Виробник : Infineon Technologies Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.