S29GL512S11DHIV10 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesNOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 573.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512S11DHIV10 Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 64-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 110 ns, Memory Organization: 32M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції S29GL512S11DHIV10 за ціною від 433.77 грн до 690.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S29GL512S11DHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGAPackaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512S11DHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR Flash |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512S11DHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512S11DHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512S11DHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512S11DHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512S11DHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV10 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 110ns Output voltage: 1.65...3.6V DC Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |


