S29GL512S11DHIV23 Infineon Technologies


infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2200+741.05 грн
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S29GL512S11DHIV23 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s), tariffCode: 85423290, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit.

Інші пропозиції S29GL512S11DHIV23 за ціною від 696.07 грн до 970.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S29GL512S11DHIV23 S29GL512S11DHIV23 Infineon Technologies infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+970.02 грн
10+867.00 грн
25+840.22 грн
50+769.49 грн
100+750.62 грн
250+725.99 грн
500+696.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHIV23 S29GL512S11DHIV23 INFINEON 4092550.pdf Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHIV23 S29GL512S11DHIV23 INFINEON 4092550.pdf Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHIV23 Infineon Technologies L256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL_S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3_DataSheet_v21_00_EN.pdf NOR Flash PNOR
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHIV23 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+970.02 грн
10+867.00 грн
25+840.22 грн
50+769.49 грн
100+750.62 грн
250+725.99 грн
500+696.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHIV23 4092550.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHIV23 4092550.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHIV23 L256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL_S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3_DataSheet_v21_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash PNOR
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.