S29GL512S11DHIV23

S29GL512S11DHIV23 Infineon Technologies


Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2200+495.37 грн
Мінімальне замовлення: 2200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S29GL512S11DHIV23 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції S29GL512S11DHIV23 за ціною від 429.65 грн до 751.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S29GL512S11DHIV23 S29GL512S11DHIV23 Виробник : INFINEON 4092550.pdf Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+543.07 грн
25+542.22 грн
50+502.70 грн
100+463.31 грн
250+462.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHIV23 S29GL512S11DHIV23 Виробник : INFINEON 4092550.pdf Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+543.92 грн
10+543.07 грн
25+542.22 грн
50+502.70 грн
100+463.31 грн
250+462.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHIV23 S29GL512S11DHIV23 Виробник : Infineon Technologies Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+751.96 грн
10+672.50 грн
25+651.75 грн
50+597.00 грн
100+582.43 грн
250+563.39 грн
500+540.21 грн
1000+526.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHIV23 Виробник : Infineon Technologies L256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL-S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3-DataSheet-v22_00-EN.pdf NOR Flash PNOR
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.29 грн
10+651.54 грн
25+549.16 грн
50+536.30 грн
100+522.69 грн
250+506.04 грн
1000+429.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHIV23 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2200 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11DHIV23 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.