S29GL512S11DHIV23 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Технічний опис S29GL512S11DHIV23 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s), tariffCode: 85423290, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit.
Інші пропозиції S29GL512S11DHIV23 за ціною від 495.29 грн до 707.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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S29GL512S11DHIV23 | Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 5472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S29GL512S11DHIV23 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit |
на замовлення 2139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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S29GL512S11DHIV23 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit |
на замовлення 2139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV23 | Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S29GL512S11DHIV23 |
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Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 707.38 грн |
| 10+ | 632.63 грн |
| 25+ | 613.11 грн |
| 50+ | 561.61 грн |
| 100+ | 547.90 грн |
| 250+ | 529.99 грн |
| 500+ | 508.18 грн |
| 1000+ | 495.29 грн |
| S29GL512S11DHIV23 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)
tariffCode: 85423290
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rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)
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IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
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Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
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Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S29GL512S11DHIV23 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)
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IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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usEccn: 3A991.b.1.a
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Betriebstemperatur, max.: 85°C
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Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)
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IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
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Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S29GL512S11DHIV23 |
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Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash PNOR
NOR Flash PNOR
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



