S29GL512S11FHB020

S29GL512S11FHB020 Infineon Technologies


b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v20_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns Automotive AEC-Q100 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+830.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S29GL512S11FHB020 Infineon Technologies

Category: Parallel FLASH memories - integ. circ., Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel, Type of integrated circuit: FLASH memory, Kind of memory: NOR, Memory: 512Mb FLASH, Operating voltage: 2.7...3.6V, Access time: 110ns, Case: BGA64, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...105°C, Kind of package: in-tray, Application: automotive, Interface: CFI; parallel.

Інші пропозиції S29GL512S11FHB020

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S29GL512S11FHB020 Виробник : Renesas Description: S29GL5512-MB(MBYTE3.0GLFLAMEMORY
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHB020 S29GL512S11FHB020 Виробник : Cypress Semiconductor CYPR_S_A0003131521_1-2540689.pdf NOR Flash Nor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHB020 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.