S29GL512S11FHB023 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 110ns
Application: automotive
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1600 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512S11FHB023 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ., Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel, Type of integrated circuit: FLASH memory, Kind of memory: NOR, Memory: 512Mb FLASH, Interface: CFI; parallel, Operating voltage: 2.7...3.6V, Case: BGA64, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...105°C, Access time: 110ns, Application: automotive, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 1600 шт.
Інші пропозиції S29GL512S11FHB023
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
S29GL512S11FHB023 | Виробник : Rochester Electronics, LLC |
![]() |
товару немає в наявності |
||
S29GL512S11FHB023 | Виробник : Cypress Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
S29GL512S11FHB023 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Access time: 110ns Application: automotive Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |