Технічний опис S29GL512S11FHIV10 Cypress Semiconductor
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ., Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel, Type of integrated circuit: FLASH memory, Kind of memory: NOR, Memory: 512Mb FLASH, Interface: CFI; parallel, Operating voltage: 2.7...3.6V, Case: BGA64, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 110ns, Output voltage: 1.65...3.6V DC, Kind of package: in-tray, кількість в упаковці: 900 шт.
Інші пропозиції S29GL512S11FHIV10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| S29GL512S11FHIV10 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 110ns Output voltage: 1.65...3.6V DC Kind of package: in-tray кількість в упаковці: 900 шт |
товару немає в наявності |
||
| S29GL512S11FHIV10 | Виробник : Spansion |
Description: IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 64BGA |
товару немає в наявності |
||
| S29GL512S11FHIV10 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 110ns Output voltage: 1.65...3.6V DC Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |