S29GL512S11TFIV10

S29GL512S11TFIV10 Infineon Technologies


Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+574.73 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S29GL512S11TFIV10 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції S29GL512S11TFIV10 за ціною від 489.98 грн до 802.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S29GL512S11TFIV10 S29GL512S11TFIV10 Виробник : Cypress Semiconductor _mbit_32_mbyte_128_mbit_16_mbyte_3.0_v_gl-s_flash_memory.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+674.28 грн
100+640.97 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11TFIV10 S29GL512S11TFIV10 Виробник : Infineon Technologies L256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL-S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3-DataSheet-v22_00-EN.pdf NOR Flash 512Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+731.31 грн
10+670.43 грн
25+564.08 грн
50+550.47 грн
100+522.49 грн
182+494.52 грн
1092+489.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11TFIV10 S29GL512S11TFIV10 Виробник : Infineon Technologies Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.96 грн
10+675.01 грн
25+654.19 грн
40+603.94 грн
91+586.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11TFIV10 S29GL512S11TFIV10 Виробник : INFINEON 2785316.pdf Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+780.38 грн
10+725.24 грн
25+691.31 грн
50+619.88 грн
100+563.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11TFIV10 S29GL512S11TFIV10 Виробник : Cypress / Spansion 001_98285_1_GBIT_128_MBYTE_512_MBIT_64_MBYTE_256_M-1102589.pdf NOR Flash 512Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+802.77 грн
10+733.04 грн
25+623.06 грн
50+619.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11TFIV10 Виробник : Cypress Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11TFIV10 S29GL512S11TFIV10 Виробник : Infineon Technologies b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v21_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11TFIV10 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; TSOP56; in-tray
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Kind of package: in-tray
кількість в упаковці: 182 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11TFIV10 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; TSOP56; in-tray
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.