S29GL512S11TFIV10 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 110 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 56-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512S11TFIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL512S11TFIV10 за ціною від 560.86 грн до 785.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S29GL512S11TFIV10 | Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOPVoltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 56-TSOP Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
S29GL512S11TFIV10 | Cypress Semiconductor |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
S29GL512S11TFIV10 | Cypress / Spansion |
NOR Flash 512Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
S29GL512S11TFIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash 512Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
S29GL512S11TFIV10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S29GL512S11TFIV10 | Cypress |
|
на замовлення 2730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S29GL512S11TFIV10 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 110 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 56-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 110 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 56-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 721.85 грн |
| 10+ | 645.41 грн |
| 25+ | 625.50 грн |
| 40+ | 577.46 грн |
| 91+ | 560.86 грн |
| S29GL512S11TFIV10 |
![]() |
Виробник: Cypress Semiconductor
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 785.57 грн |
| 100+ | 746.76 грн |
| S29GL512S11TFIV10 |
![]() |
Виробник: Cypress / Spansion
NOR Flash 512Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash
NOR Flash 512Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S29GL512S11TFIV10 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash 512Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash
NOR Flash 512Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S29GL512S11TFIV10 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S29GL512S11TFIV10 |
![]() |
Виробник: Cypress
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





