
S29GL512S11TFIV20 Infineon Technologies
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 452.95 грн |
28+ | 440.45 грн |
29+ | 434.53 грн |
40+ | 416.89 грн |
50+ | 383.04 грн |
91+ | 359.58 грн |
100+ | 352.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512S11TFIV20 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pins, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: TSOP, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit, Speichergröße: 512Mbit, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції S29GL512S11TFIV20 за ціною від 477.49 грн до 1231.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S29GL512S11TFIV20 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S29GL512S11TFIV20 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S29GL512S11TFIV20 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: TSOP IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S29GL512S11TFIV20 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
S29GL512S11TFIV20 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
S29GL512S11TFIV20 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |