S29GL512T10FHI010 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesNOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 576.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512T10FHI010 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512T10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s), tariffCode: 85423261, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL512T10FHI010 за ціною від 421.76 грн до 983.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
S29GL512T10FHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
S29GL512T10FHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
S29GL512T10FHI010 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512T10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s) tariffCode: 85423261 IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
S29GL512T10FHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
S29GL512T10FHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
S29GL512T10FHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Verified |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
S29GL512T10FHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
S29GL512T10FHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
S29GL512T10FHI010 | Виробник : Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
S29GL512T10FHI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI010 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 100ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Output voltage: 2.7...3.6V DC Interface: CFI; parallel |
товару немає в наявності |