S29GL512T10FHI020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512T10FHI020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512T10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423261, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.
Інші пропозиції S29GL512T10FHI020 за ціною від 602.90 грн до 952.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512T10FHI020 | Cypress Semiconductor |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGAPackaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Verified |
на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S29GL512T10FHI020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512T10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, paralleltariffCode: 85423261 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
S29GL512T10FHI020 | Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S29GL512T10FHI020 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 726.80 грн |
| 50+ | 681.88 грн |
| 100+ | 629.70 грн |
| 200+ | 602.90 грн |
| S29GL512T10FHI020 |
![]() |
Виробник: Cypress Semiconductor
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 824.21 грн |
| 100+ | 783.23 грн |
| S29GL512T10FHI020 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 941.28 грн |
| 17+ | 866.36 грн |
| 25+ | 832.54 грн |
| 50+ | 756.30 грн |
| 180+ | 679.79 грн |
| S29GL512T10FHI020 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 941.56 грн |
| 10+ | 867.29 грн |
| 25+ | 832.64 грн |
| 50+ | 756.30 грн |
| 180+ | 679.79 грн |
| S29GL512T10FHI020 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Verified
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 952.16 грн |
| 10+ | 851.14 грн |
| 25+ | 824.80 грн |
| 50+ | 755.40 грн |
| 180+ | 721.34 грн |
| 360+ | 703.22 грн |
| 540+ | 681.40 грн |
| S29GL512T10FHI020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512T10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
Description: INFINEON - S29GL512T10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S29GL512T10FHI020 |
![]() |
Виробник: Cypress Semiconductor
NOR Flash Nor
NOR Flash Nor
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S29GL512T10FHI020 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash PNOR
NOR Flash PNOR
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S29GL512T10FHI020 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





