S29GL512T10TFI010 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesNOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 581.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512T10TFI010 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512T10TFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423261, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції S29GL512T10TFI010 за ціною від 461.92 грн до 903.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL512T10TFI010 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP Packaging: Tray Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
S29GL512T10TFI010 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512T10TFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
S29GL512T10TFI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
на замовлення 671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
S29GL512T10TFI010 | Виробник : Infineon / Cypress |
NOR Flash Nor |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| S29GL512T10TFI010 | Виробник : INFINEON (CYPRESS) |
S29GL512T10TFI010 Parallel FLASH memories - integ. circ. |
товару немає в наявності |