Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > S29GL512T10TFI010
S29GL512T10TFI010

S29GL512T10TFI010 Infineon Technologies

infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+701.99 грн
10+627.96 грн
25+608.63 грн
91+545.71 грн
182+532.21 грн
273+524.38 грн
546+502.79 грн
1001+491.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S29GL512T10TFI010 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL512T10TFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423261, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції S29GL512T10TFI010

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S29GL512T10TFI010 S29GL512T10TFI010 Infineon Technologies 29GL01GT_S29GL512T_1_Gb__128_MB__512_Mb__64_MB__GL_T_MirrorBit_Eclipse_Flash_DataSheet_v14_00_EN.pdf NOR Flash PNOR
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI010 S29GL512T10TFI010 INFINEON INFN-S-A0017271275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL512T10TFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI010 29GL01GT_S29GL512T_1_Gb__128_MB__512_Mb__64_MB__GL_T_MirrorBit_Eclipse_Flash_DataSheet_v14_00_EN.pdf
S29GL512T10TFI010
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash PNOR
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI010 INFN-S-A0017271275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL512T10TFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512T10TFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.