на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 594.25 грн |
| 10+ | 555.39 грн |
| 25+ | 473.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512T11FHIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit, Speichergröße: 512Mbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL512T11FHIV10 за ціною від 458.54 грн до 640.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL512T11FHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
S29GL512T11FHIV10 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
S29GL512T11FHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Verified |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
S29GL512T11FHIV10 | Виробник : Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
| S29GL512T11FHIV10 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
S29GL512T11FHIV10 Parallel FLASH memories - integ. circ. |
товару немає в наявності |