S29GL512T11FHIV10 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 573.03 грн |
| 10+ | 543.42 грн |
| 25+ | 541.82 грн |
| 50+ | 501.63 грн |
| 100+ | 460.98 грн |
| 250+ | 459.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S29GL512T11FHIV10 INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit, Speichergröße: 512Mbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S29GL512T11FHIV10 за ціною від 433.52 грн до 697.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S29GL512T11FHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Verified |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S29GL512T11FHIV10 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
на замовлення 667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S29GL512T11FHIV10 | Виробник : Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |