S2J-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S2J-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 2us; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 50A, Mounting: SMD, Type of diode: rectifying, Semiconductor structure: single diode, Reverse recovery time: 2µs, Leakage current: 1µA, Max. forward voltage: 1.15V, Load current: 1.5A, Max. load current: 1.5A, Max. forward impulse current: 50A, Max. off-state voltage: 0.6kV.
Інші пропозиції S2J-E3/5BT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| S2J-E3/5BT | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
|
|
S2J-E3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA |
товару немає в наявності |
|
| S2J-E3/5BT | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 2us; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 50A Mounting: SMD Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 2µs Leakage current: 1µA Max. forward voltage: 1.15V Load current: 1.5A Max. load current: 1.5A Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 0.6kV |
товару немає в наявності |