 
S2M0120120T SMC DIODE SOLUTIONS
 Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
                                                Виробник: SMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 241.59 грн | 
| 10+ | 151.14 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S2M0120120T SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 66A, Power dissipation: 156W, Case: TOLL, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 212mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 29.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт. 
Інші пропозиції S2M0120120T за ціною від 146.05 грн до 289.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  +1 | S2M0120120T | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 156W Case: TOLL Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 212mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 49 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | S2M0120120T | Виробник : SMC Diode Solutions |  Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | |||||||||||
|   | S2M0120120T | Виробник : SMC Diode Solutions |  Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | 
