S2M0120120T SMC DIODE SOLUTIONS
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL
Mounting: SMD
Power dissipation: 156W
Gate charge: 29.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: reel; tape
Case: TOLL
On-state resistance: 212mΩ
Pulsed drain current: 66A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 256.50 грн |
| 10+ | 161.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S2M0120120T SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL, Mounting: SMD, Power dissipation: 156W, Gate charge: 29.6nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 15A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -5...20V, Kind of package: reel; tape, Case: TOLL, On-state resistance: 212mΩ, Pulsed drain current: 66A.
Інші пропозиції S2M0120120T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
S2M0120120T | SMC Diode Solutions |
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
S2M0120120T | SMC Diode Solutions |
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| S2M0120120T |
|
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.