S2M0120120T
  • S2M0120120T
  • S2M0120120T

S2M0120120T SMC DIODE SOLUTIONS


S2M0120120T.pdf Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.59 грн
10+151.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S2M0120120T SMC DIODE SOLUTIONS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 66A, Power dissipation: 156W, Case: TOLL, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 212mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 29.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції S2M0120120T за ціною від 146.05 грн до 289.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S2M0120120T
+1
S2M0120120T Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.90 грн
10+188.35 грн
100+149.87 грн
250+146.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0120120T S2M0120120T Виробник : SMC Diode Solutions S2M0120120T.pdf Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0120120T S2M0120120T Виробник : SMC Diode Solutions S2M0120120T.pdf Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.