S2M0120120T SMC DIODE SOLUTIONS
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S2M0120120T SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 66A, Power dissipation: 156W, Case: TOLL, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 212mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 29.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: SiC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.
Інші пропозиції S2M0120120T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
S2M0120120T | SMC Diode Solutions |
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
S2M0120120T | SMC Diode Solutions |
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| S2M0120120T |
|
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.